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Super Junction MOSFET

利用先進的電荷平衡技術,新潔能全新推出第三代超結MOSFET系列產(chǎn)品,在第二代超結MOSFET產(chǎn)品的基礎上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度,同時改善了器件在系統(tǒng)中的EMI特性,產(chǎn)品特征導通電阻(Rdson*A)降低27%,開關損耗降低13%,總能效提升1.5%。
Super Junction MOSFET

  利用先進的電荷平衡技術,新潔能全新推出第三代超結MOSFET系列產(chǎn)品,在第二代超結MOSFET產(chǎn)品的基礎上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度,同時改善了器件在系統(tǒng)中的EMI特性,產(chǎn)品特征導通電阻(Rdson*A)降低27%,開關損耗降低13%,總能效提升1.5%。我們?yōu)殡娐吩O計師提供500V-900V,1.8A-75A的多樣電壓-電流選擇,同時,也為您帶來SOP-8至TO-247的不同功率選擇,實現(xiàn)占用更少的電路板空間并提高可靠性。

  通過采用領先的單層外延工藝技術,第三代超結MOSFET當中新增700V-800V的產(chǎn)品系列,為系統(tǒng)應用提供更加充足的耐壓余量,簡化電路設計難度,提供更高的系統(tǒng)可靠性。這些產(chǎn)品廣泛適宜于對系統(tǒng)效率有更高要求的照明應用、各類電源、適配器以及智能手機、平板電腦充電器。

  此外,第三代超結推出快恢復系列產(chǎn)品(TF系列),大幅提高了超結功率MOSFET的體二極管反向恢復能力,降低了體二極管反向恢復損耗,特別適用于半橋、全橋等橋式電路拓撲中,適宜于各類大功率電源、直流充電樁、汽車OBC等產(chǎn)品。

  產(chǎn)品特征:

  ·卓越的功率轉(zhuǎn)換效率

  ·極低的導通功率損耗源于極低的特征導通電阻(Ron*A)

  ·極低的開關功率損耗和驅(qū)動功率損耗源于極低的FOM(Ron*Qg)

  ·更小的封裝體積

  ·卓越的EAS能力(100%EAS測試)

  產(chǎn)品應用:

  ·電腦、服務器的電源

  ·適配器(筆記本電腦,打印機等

  ·照明(HID/LED照明,工業(yè)照明,道路照明等

  ·消費類電子產(chǎn)品(液晶電視,等離子電視等)

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